先进的工艺意味着更复杂的图案,而复杂的图案也需要更精细的缺陷检测技术。从紫外光(UV)到深紫外光(DUV),暗场(dark field)到亮场(bright field),光学晶圆检测技术一直在半导体工艺的发展向前推进。在工艺研发,生产良率的提升,直至量产监测的一整套产品生命周期中,均起着不可替代的作用受物理条件限制,光刻过程无法完全精确,对晶圆的各种处理工序都可能引入种类繁多的复杂缺陷,这些缺陷将导致产出的芯片成为残次品甚至彻底报废,因此引入晶圆检测,剔除相关缺陷;检测蚀刻线路的形态,实现nm级别(纳米)检测精度;检测ABF、高密度BT载板的蚀刻线路形态,实现um级检测精度。